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浅谈碳化硅陶瓷热等静压烧结的工艺实在太精妙!

时间:2020-03-06    作者:碳化硅    所属栏目:行业新闻

近年来,为进一步提高碳化硅陶瓷的力学性能,研究人员进行了碳化硅陶瓷的热等静压工艺的研究工作,研究人员以B和C为添加剂,采用热等静压烧结工艺,在1900℃便获得高密度碳化硅烧结体,更进一步,通过该工艺,在2000℃和138MPa压力下,成功实现无添加剂碳化硅陶瓷的致密烧结,下面我们就一起浅谈下碳化硅陶瓷热等静压烧结的工艺,许多人了解后都觉得实在是太精妙了!

当碳化硅粉末的粒径小于0.6μm时,即使不引入任何添加剂,通过热等静压烧结,在1950℃即可使其致密化,如选用比表面积为24m2/g的碳化硅超细粉,采用热等静压烧结工艺,在1850℃便可获得高致密度的无添加剂碳化硅陶瓷,另外,Al2O3是热等静压烧结碳化硅陶瓷的有效添加剂,而C的添加对碳化硅陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用,过量的C甚至会抑制碳化硅陶瓷的烧结。

在碳化硅陶瓷热等静压烧结的工艺中应注重每个环节,不管是温度还是粒度等方面都要严格控制这样才可以保证碳化硅陶瓷热等静压烧结工艺的质量使得烧结效果更好,对于碳化硅陶瓷热等静压烧结的工艺许多人都认为太精妙了,你认为呢?

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